| 发明名称 | 功率模块及其制造方法 | ||
| 摘要 | 本发明的目的在于提供一种能够实现功率模块的小型化的技术。该功率模块具有：1个控制IC(4)和多个RC-IGBT(Reverse Conducting Insulated Gate Bipolar Transistor)(21)。控制IC(4)具有高耐压IC(High-Voltage Integrated Circuit)的功能和低耐压IC(Low-Voltage Integrated Circuit)的功能。多个RC-IGBT(21)配置在控制IC(4)的四个方向中的三个方向，仅经由导线(22)与控制IC(4)连接。 | ||
| 申请公布号 | CN104681546A | 申请公布日期 | 2015.06.03 |
| 申请号 | CN201410720919.8 | 申请日期 | 2014.12.02 |
| 申请人 | 三菱电机株式会社 | 发明人 | 池田直辉;小田寿志;长谷川真纪;川藤寿 |
| 分类号 | H01L25/07(2006.01)I;H01L23/12(2006.01)I;H01L23/488(2006.01)I;H01L21/98(2006.01)I;H01L21/56(2006.01)I | 主分类号 | H01L25/07(2006.01)I |
| 代理机构 | 北京天昊联合知识产权代理有限公司 11112 | 代理人 | 何立波;张天舒 |
| 主权项 | 一种功率模块，其具有：1个控制IC，其具有高耐压IC的功能和低耐压IC的功能；以及多个RC‑IGBT，它们配置在所述控制IC的四个方向中的三个方向，仅经由导线与所述控制IC连接。 | ||
| 地址 | 日本东京 | ||