| 发明名称 | 半导体器件和具有势垒区的绝缘栅双极型晶体管 | ||
| 摘要 | 在一种半导体器件中，势垒区被夹在漂移区和电荷载流子转移区之间。势垒区和电荷载流子转移区形成pn结。势垒区和漂移区形成单质结。在势垒区中的平均杂质浓度高达漂移区中的杂质浓度的至少10倍。控制结构被布置为，在反型状态中在漂移区和势垒区中形成反型层。在非反型状态中，没有反型层在漂移区和势垒区中被形成。 | ||
| 申请公布号 | CN104681604A | 申请公布日期 | 2015.06.03 |
| 申请号 | CN201410706951.0 | 申请日期 | 2014.11.27 |
| 申请人 | 英飞凌科技股份有限公司 | 发明人 | J·G·拉文;R·巴布斯克;C·耶格 |
| 分类号 | H01L29/739(2006.01)I;H01L29/06(2006.01)I;H01L21/336(2006.01)I | 主分类号 | H01L29/739(2006.01)I |
| 代理机构 | 北京市金杜律师事务所 11256 | 代理人 | 郑立柱 |
| 主权项 | 一种半导体器件，包括：势垒区，其被夹在漂移区和电荷载流子转移区之间，所述势垒区和所述电荷载流子转移区形成pn结，并且所述势垒区和所述漂移区形成单质结，其中所述势垒区中的杂质浓度高达所述漂移区中的杂质浓度的至少10倍；控制结构，其被配置为在反型状态中在所述漂移区和所述势垒区中形成反型层，并且在非反型状态中，在所述漂移区和所述势垒区中不形成反型层。 | ||
| 地址 | 德国诺伊比贝尔格 | ||