优化射频单极双投开关的隔离及插入损耗

摘要

一种单极双投SPDT开关(200)制造于集成电路IC上且可包括两个射频RF开关装置(112,114)，所述两个射频开关装置中的每一者具有耦合于相应RF开关装置与共用节点(102)之间的单独DC阻断电容器。在所述两个RF开关装置之间使用细导电线(224)提供DC连接。此细导电线提供所述两个RF开关装置之间的增大的隔离及减小的插入损耗。通过在符合阻抗匹配条件时通过所述细导电线的特性阻抗调谐所述线而实现所述增大的隔离和/或减小的插入损耗。通过使用进一步降低细电线电感的两个或两个以上细导电线可实质上降低在所述SPDT开关中的非所要电路谐振。

主权项

一种射频RF单极双投SPDT开关，其包括：第一节点；第一RF开关装置；第二RF开关装置；第一直流电DC阻断电容器，其耦合于所述第一节点与所述第一RF开关装置之间；第二DC阻断电容器，其耦合于所述第一节点与所述第二RF开关装置之间；第二节点；第三DC阻断电容器，其耦合于所述第二节点与所述第一RF开关装置之间；第三节点；第四DC阻断电容器，其耦合于所述第三节点与所述第二RF开关装置之间；以及细导电线，其具有耦合于所述第一DC阻断电容器与所述第一RF开关装置之间的第一末端，及耦合于所述第二DC阻断电容器与所述第二RF开关装置之间的其的第二末端，其中所述细导电线在所述第一RF开关装置与所述第二RF开关装置之间提供DC路径。