一种FinFET器件及其制造方法

摘要

本发明提供一种FinFET器件及其制造方法，所述制造方法包括：提供形成有掩埋氧化物层的半导体衬底，在掩埋氧化物层上形成有鳍片，在鳍片的顶部形成有硬掩膜层；在鳍片的两侧和顶部形成牺牲栅极材料层；去除牺牲栅极材料层两侧的硬掩膜层，并在露出的鳍片上形成锗硅应力层；沉积并研磨层间介电层，以覆盖锗硅应力层和掩埋氧化物层并露出牺牲栅极材料层的顶部；去除牺牲栅极材料层的同时，蚀刻部分鳍片，以在硬掩膜层的下方形成沟道凹槽；依次形成高k介电层和金属栅极。根据本发明，通过形成沟道凹槽来增强锗硅应力层施加于沟道区的应力，避免通过提升锗硅应力层的锗含量来增强所述应力所存在的精度控制问题，使鳍片具有完全耗尽型器件的特性。

主权项

一种FinFET器件的制造方法，包括：提供形成有掩埋氧化物层的半导体衬底，在所述掩埋氧化物层上形成有鳍片，在所述鳍片的顶部形成有硬掩膜层；在所述鳍片的两侧和顶部形成牺牲栅极材料层；去除所述牺牲栅极材料层两侧的硬掩膜层，并在露出的所述鳍片上形成锗硅应力层；沉积并研磨层间介电层，以覆盖所述锗硅应力层和所述掩埋氧化物层并露出所述牺牲栅极材料层的顶部；去除所述牺牲栅极材料层的同时，蚀刻部分所述鳍片，以在所述硬掩膜层的下方形成沟道凹槽。