发明名称 |
轻量型抗剥离石墨烯晶硅电池 |
摘要 |
本实用新型公开了一种轻量型抗剥离石墨烯晶硅电池,它包括位于底面的Al电极,Al电极上表面为Si-Al合金层,Si-Al合金层上表面为P型硅层,P型硅层上表面为N型硅层,N型硅层上表面为减反层,减反层上表面为石墨烯薄膜层,石墨烯薄膜层上还成型有一层复合PVB胶片层,复合PVB胶片层为双层PVB胶片层结构,且在双层PVB胶片层之间喷有一层均匀成型的CO<sub>3</sub>S<sub>4</sub>颗粒。本实用新型提供了一种轻量型抗剥离石墨烯晶硅电池,该晶硅电池采用石墨烯透明导电膜为电池正面电极,实现无遮光,增加电池有效受光面积,提高电池转换效率、降低电极成本,使用PVB复合胶片层对石墨烯薄膜层进行保护,克有效防止石墨烯剥离。 |
申请公布号 |
CN204375766U |
申请公布日期 |
2015.06.03 |
申请号 |
CN201520100744.0 |
申请日期 |
2015.02.12 |
申请人 |
成都格莱飞科技股份有限公司 |
发明人 |
刘兴翀;魏欣;魏泽忠 |
分类号 |
H01L31/0224(2006.01)I;H01L31/0216(2014.01)I |
主分类号 |
H01L31/0224(2006.01)I |
代理机构 |
成都金英专利代理事务所(普通合伙) 51218 |
代理人 |
袁英 |
主权项 |
轻量型抗剥离石墨烯晶硅电池,其特征在于:它包括位于底面的Al电极(1),Al电极(1)上表面为Si‑Al合金层(2),Si‑Al合金层(2)上表面为P型硅层(3),P型硅层(3)上表面为N型硅层(4),N型硅层(4)上表面为减反层(5),减反层(5)上表面为石墨烯薄膜层(6),石墨烯薄膜层(6)上还成型有一层复合PVB胶片层(8),复合PVB胶片层(8)为双层PVB胶片层结构,且在双层PVB胶片层之间喷有一层均匀成型的CO<sub>3</sub>S<sub>4</sub>颗粒(7)。 |
地址 |
610041 四川省成都市高新区天府大道北段1700号1栋2单元13层1304号 |