| 发明名称 | 包含加热步骤、处理步骤和冷却步骤的热处理方法 | ||
| 摘要 | 本发明涉及一种处理方法，尤其是在反应器壳体(1，2，3)的处理室(4)内对工件，尤其是半导体基板(19)进行镀覆的方法，所述处理室(4)构成可被加热装置(15)加热且具有用于安置所述工件的基座(5)的处理室底部(9)和可被冷却装置(23)冷却的处理室顶部(10)，其中，由处理室顶部(10)与处理室底部(9)的间距所界定的处理室高度(H)是可变的，其中，在加热步骤中，将基座(5)从所述处理室装卸所述工件时的装料/卸料温度加热至处理温度，在之后的处理步骤中，在处理温度下对所述工件进行热处理，随后在冷却步骤中，将基座冷却至装料/卸料温度。为了缩短循环时间推荐，在冷却步骤时使处理室高度(H)取其最小值。 | ||
| 申请公布号 | CN102947483B | 申请公布日期 | 2015.06.03 |
| 申请号 | CN201180029125.1 | 申请日期 | 2011.04.08 |
| 申请人 | 艾克斯特朗欧洲公司 | 发明人 | J·凯普勒 |
| 分类号 | C23C16/458(2006.01)I;C23C16/52(2006.01)I;C23C16/455(2006.01)I;H01L21/687(2006.01)I | 主分类号 | C23C16/458(2006.01)I |
| 代理机构 | 北京市柳沈律师事务所 11105 | 代理人 | 侯宇 |
| 主权项 | 一种在反应器壳体(1，2，3)的处理室(4)内对工件进行镀覆的处理方法，所述处理室(4)构造成具有可被加热装置(15)加热且具有用于安置所述工件的基座(5)的处理室底部(9)和可被冷却装置冷却的处理室顶部(10)，其中，由所述处理室顶部(10)与所述处理室底部(9)的间距所界定的处理室高度(H)是可变的，其中，在加热步骤中，将所述基座(5)从所述处理室装卸所述工件时的装料/卸料温度加热至处理温度，在之后的处理步骤中，在处理温度下对所述工件进行热处理，随后在冷却步骤中，将基座冷却至装料/卸料温度，其特征在于，在所述加热步骤中使处理室高度(H)取其最大值，使得从被加热的基座(5)至被冷却的处理室顶部(10)的热流最小化，并且在所述冷却步骤中使所述高度取其最小值，使得从所要冷却的基座(5)至被冷却的处理室顶部的热流最大化，其中，流向所述处理室顶部(10)的热量被所述冷却装置散走。 | ||
| 地址 | 德国黑措根拉特 | ||