| 发明名称 | 高温热退火方法 | ||
| 摘要 | 高温热退火方法。一种用于加工基材的方法，所述方法包括：提供具有表面的基材；提供共聚物组合物，所述共聚物组合物包括：聚(苯乙烯)-b-聚(硅氧烷)嵌段共聚物组分，其中聚(苯乙烯)-b-聚(硅氧烷)嵌段共聚物组分的数均分子量是5到1,000kg/mol；和，抗氧化剂；施加上述共聚物组合物的薄膜到基材表面；任选地，烘焙上述薄膜；通过在275到350℃和气体气氛下加热薄膜1秒钟到4小时来退火上述薄膜；和，处理上述退火薄膜以从退火薄膜中除去聚(苯乙烯)嵌段和将退火薄膜中的聚(硅氧烷)嵌段转换成SiOx。 | ||
| 申请公布号 | CN103571253B | 申请公布日期 | 2015.06.03 |
| 申请号 | CN201310435005.2 | 申请日期 | 2013.07.12 |
| 申请人 | 罗门哈斯电子材料有限公司;陶氏环球技术有限公司 | 发明人 | 顾歆宇;张诗玮;P·赫斯塔德;J·温霍尔德;P·特雷福纳斯 |
| 分类号 | C09D7/00(2006.01)I;H01L21/033(2006.01)I;B81C1/00(2006.01)I | 主分类号 | C09D7/00(2006.01)I |
| 代理机构 | 上海专利商标事务所有限公司 31100 | 代理人 | 陈哲锋 |
| 主权项 | 一种用于加工基材的方法，所述方法包括∶提供具有表面的基材；提供共聚物组合物，所述共聚物组合物包括：聚(苯乙烯)‑b‑聚(硅氧烷)嵌段共聚物组分，其中聚(苯乙烯)‑b‑聚(硅氧烷)嵌段共聚物组分的数均分子量是5到1,000kg/mol；和,抗氧化剂；施加上述共聚物组合物的薄膜到基材表面；任选地，烘焙上述薄膜；通过在275到350℃和气体气氛下加热薄膜1秒钟到4小时来退火上述薄膜；和，处理上述退火薄膜以从退火薄膜中除去聚(苯乙烯)嵌段和将退火薄膜中的聚(硅氧烷)嵌段转换成SiOx。 | ||
| 地址 | 美国马萨诸塞州 | ||