发明名称 磁读取头
摘要 本发明公开一种磁读取头。在某些示例中,一种系统包括具有磁存储介质的数据存储部件,该磁存储介质具有在至少一条数据道上排列的多个磁比特畴,其中相应磁比特畴之间的过渡边界定义过渡弯曲。该系统还包括磁读取头,该磁读取头具有第一屏蔽层、第二屏蔽层以及靠近第一和第二屏蔽层设置的读取传感器堆栈,其中磁性读取头根据读取重放灵敏度函数来感测多个磁比特畴的每一个的磁场。在某些示例中,屏蔽层和读取传感器堆栈被配置成提供与相应磁比特畴的形状基本对应的读取重放灵敏度函数。
申请公布号 CN102148038B 申请公布日期 2015.06.03
申请号 CN201110087187.X 申请日期 2011.02.09
申请人 希捷科技有限公司 发明人 高凯中;X·彭;Z·王;Y·陈
分类号 G11B5/127(2006.01)I 主分类号 G11B5/127(2006.01)I
代理机构 上海专利商标事务所有限公司 31100 代理人 姬利永
主权项 一种用于感测磁场的系统,包括:包括磁存储介质的数据存储部件,所述磁存储介质具有在至少一条数据道上排列的多个磁比特畴,其中相应磁比特畴之间的过渡边界定义过渡弯曲;以及磁读取头,包括:第一屏蔽层;第二屏蔽层;以及靠近第一和第二屏蔽层设置的读取传感器堆栈,所述读取传感器堆栈包括:靠近第一屏蔽层设置的覆盖层,所述覆盖层包括磁性部分和非磁性部分;其中磁读取头根据读取重放灵敏度函数来感测多个磁比特畴的每一个的磁场,其中至少屏蔽层和读取传感器堆栈被配置为提供与相应磁比特畴的形状基本对应的读取重放灵敏度函数,其中读取重放灵敏度函数表示读取传感器堆栈对磁存储介质发出的磁场相对于读取传感器堆栈位置的相对敏感度,其中所述覆盖层与至少所述第一屏蔽层和第二屏蔽层一起影响所述读取重放灵敏度函数。
地址 美国加利福尼亚州