| 发明名称 | 一种栅源和栅漏过压保护的晶体管功率器件及其制造方法 | ||
| 摘要 | 本发明公开了一种栅源和栅漏过压保护的晶体管功率器件，包括硅片、栅氧化层、多晶硅层、栅电极、源电极和漏电极，其中；还包括一P+区域和一N+区域，所述P+区域和所述N+区域分别设置在所述源电极的源区上。本发明各电极保护效果好，具有过压保护，栅区不容易损坏，结构和制造工艺均较简单，使用寿命长。 | ||
| 申请公布号 | CN102280484B | 申请公布日期 | 2015.06.03 |
| 申请号 | CN201110224441.6 | 申请日期 | 2011.08.06 |
| 申请人 | 深圳市稳先微电子有限公司 | 发明人 | 王新 |
| 分类号 | H01L29/78(2006.01)I;H01L29/739(2006.01)I;H01L29/06(2006.01)I;H01L21/336(2006.01)I;H01L21/331(2006.01)I;H01L27/02(2006.01)I | 主分类号 | H01L29/78(2006.01)I |
| 代理机构 | 代理人 | ||
| 主权项 | 一种栅源和栅漏过压保护的晶体管功率器件，包括硅片、栅氧化层、多晶硅层、栅电极、源电极和漏电极，其特征在于；还包括一P+区域和一N+区域，所述P+区域和所述N+区域分别设置在所述源电极的源区上；对应所述N+区域，还包括一二极管，所述 N+区域与所述二极管串联，形成栅源二极管保护区域；对应所述P+区域，还包括一二极管，所述P+区域与所述二极管串联，形成栅漏二极管保护区域。 | ||
| 地址 | 518000 广东省深圳市福田区车公庙天安数码城创新科技广场二期东座1002室 | ||