发明名称 | 湿法刻蚀设备 | ||
摘要 | 本发明提供了一种湿法刻蚀设备。该湿法刻蚀设备具有去除刻蚀腔外刻蚀液结晶的功能,其包括:刻蚀腔,其内部通过刻蚀液对基片上的待刻蚀薄膜进行刻蚀,在其前端具有刻蚀腔入口,在其后端具有刻蚀腔出口;喷淋管,设置于所述刻蚀腔入口和/或刻蚀腔出口的下方,该喷淋管可朝向上方喷射液体,以清洗在刻蚀腔入口和/或刻蚀腔出口处形成的刻蚀液结晶。本发明通过喷淋管对刻蚀腔入口、刻蚀腔出口处进行喷淋,可有效去除在刻蚀腔入口、刻蚀腔出口处产生的大量刻蚀液结晶,提高设备稼动率,洁净度及产品质量,解决了TFT基板制作工艺中的一大难题。 | ||
申请公布号 | CN104681471A | 申请公布日期 | 2015.06.03 |
申请号 | CN201510107896.8 | 申请日期 | 2015.03.12 |
申请人 | 京东方科技集团股份有限公司 | 发明人 | 薛大鹏 |
分类号 | H01L21/67(2006.01)I | 主分类号 | H01L21/67(2006.01)I |
代理机构 | 中科专利商标代理有限责任公司 11021 | 代理人 | 曹玲柱 |
主权项 | 一种湿法刻蚀设备,其特征在于,所述湿法刻蚀设备具有去除刻蚀腔外刻蚀液结晶的功能,其包括:刻蚀腔,其内部通过刻蚀液对基片上的待刻蚀薄膜进行刻蚀,在其前端具有刻蚀腔入口,在其后端具有刻蚀腔出口;喷淋管,设置于所述刻蚀腔入口和/或刻蚀腔出口的下方,该喷淋管可朝向上方喷射液体,以清洗在刻蚀腔入口和/或刻蚀腔出口处形成的刻蚀液结晶。 | ||
地址 | 100015 北京市朝阳区酒仙桥路10号 |