发明名称 湿法刻蚀设备
摘要 本发明提供了一种湿法刻蚀设备。该湿法刻蚀设备具有去除刻蚀腔外刻蚀液结晶的功能,其包括:刻蚀腔,其内部通过刻蚀液对基片上的待刻蚀薄膜进行刻蚀,在其前端具有刻蚀腔入口,在其后端具有刻蚀腔出口;喷淋管,设置于所述刻蚀腔入口和/或刻蚀腔出口的下方,该喷淋管可朝向上方喷射液体,以清洗在刻蚀腔入口和/或刻蚀腔出口处形成的刻蚀液结晶。本发明通过喷淋管对刻蚀腔入口、刻蚀腔出口处进行喷淋,可有效去除在刻蚀腔入口、刻蚀腔出口处产生的大量刻蚀液结晶,提高设备稼动率,洁净度及产品质量,解决了TFT基板制作工艺中的一大难题。
申请公布号 CN104681471A 申请公布日期 2015.06.03
申请号 CN201510107896.8 申请日期 2015.03.12
申请人 京东方科技集团股份有限公司 发明人 薛大鹏
分类号 H01L21/67(2006.01)I 主分类号 H01L21/67(2006.01)I
代理机构 中科专利商标代理有限责任公司 11021 代理人 曹玲柱
主权项 一种湿法刻蚀设备,其特征在于,所述湿法刻蚀设备具有去除刻蚀腔外刻蚀液结晶的功能,其包括:刻蚀腔,其内部通过刻蚀液对基片上的待刻蚀薄膜进行刻蚀,在其前端具有刻蚀腔入口,在其后端具有刻蚀腔出口;喷淋管,设置于所述刻蚀腔入口和/或刻蚀腔出口的下方,该喷淋管可朝向上方喷射液体,以清洗在刻蚀腔入口和/或刻蚀腔出口处形成的刻蚀液结晶。
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