发明名称 晶体管、放大器电路和集成电路
摘要 本发明公开了一种晶体管(100、200、300),具有第一导电类型的第一区域(120、320)和第一导电类型的横向延伸的第二区域(140、340),横向延伸的第二区域具有包括用于从晶体管排出电荷载流子的接触端子(145、345)的部分(142、342),第一区域通过第二导电类型的中间区域(130、330)与第二区域分隔开,中间区域限定了与第一区域的第一p-n结以及与第二区域的第二p-n结,其中横向延伸的区域将所述部分与所述第二p-n结分隔开,晶体管还包括:衬底(110),具有第二导电类型的掺杂区域(112),所述掺杂区域与所述横向延伸的第二区域接触并且沿着所述横向延伸的第二区域延伸;以及另一接触端子(115),用于从所述横向延伸的第二区域排出少数电荷载流子。
申请公布号 CN104681599A 申请公布日期 2015.06.03
申请号 CN201410645155.0 申请日期 2014.11.10
申请人 恩智浦有限公司 发明人 维特·桑迪·恩;托尼·范胡克;埃弗利娜·格里德莱特;安可·赫琳哈;让·威廉·斯伦特伯;迪克·克拉森
分类号 H01L29/73(2006.01)I;H01L29/36(2006.01)I;H03F1/02(2006.01)I;H03F3/20(2006.01)I 主分类号 H01L29/73(2006.01)I
代理机构 中科专利商标代理有限责任公司 11021 代理人 杨静
主权项 一种晶体管(100、200、300),所述晶体管(100、200、300)具有第一导电类型的第一区域(120、320)和第一导电类型的横向延伸的第二区域(140、340),所述第一区域(120、320)用于将电荷载流子注入到所述晶体管中,所述横向延伸的第二区域(140、340)具有包括用于从所述晶体管排出所述电荷载流子的接触端子(145、345)在内的部分(142、342),其中,所述第一区域通过第二导电类型的中间区域(130、330)与所述第二区域分隔开,所述中间区域限定了与第一区域的第一p‑n结以及与第二区域的第二p‑n结,其中所述横向延伸的区域将所述部分与所述第二p‑n结分隔开,并且晶体管还包括:衬底(110),具有第二导电类型的掺杂区域(112),所述掺杂区域与所述横向延伸的第二区域接触并且沿着所述横向延伸的第二区域延伸;以及另一接触端子(115),与所述掺杂区域连接,以从所述横向延伸的第二区域排出少数电荷载流子。
地址 荷兰艾恩德霍芬