| 发明名称 | 单晶硅基底TFT器件 | ||
| 摘要 | 一种半导体器件制备领域的单晶硅基底TFT器件，通过在单晶硅表面刻蚀出作为源极和漏极基础的硅岛，然后在硅岛表面覆盖至少一层绝缘材料并打孔，再在一层或不同层的绝缘材料上分别制作栅极、源极和漏极，最后将源极、漏极与对应的硅岛相连，组成TFT器件。本发明制备得到的TFT器件以单晶硅为基底，在单晶硅基地上刻出硅岛，以硅岛作为TFT器件的源极和漏极，能够大幅度提高TFT器件的性能。 | ||
| 申请公布号 | CN104681624A | 申请公布日期 | 2015.06.03 |
| 申请号 | CN201410837858.3 | 申请日期 | 2014.12.24 |
| 申请人 | 上海交通大学 | 发明人 | 王东平;谢应涛;方汉铿 |
| 分类号 | H01L29/786(2006.01)I;H01L21/336(2006.01)I | 主分类号 | H01L29/786(2006.01)I |
| 代理机构 | 上海交达专利事务所 31201 | 代理人 | 王毓理;王锡麟 |
| 主权项 | 一种单晶硅基底TFT器件的制备方法，其特征在于，通过在单晶硅表面刻蚀出作为源极和漏极基础的硅岛，然后在硅岛表面覆盖至少一层绝缘材料并打孔，再在一层或不同层的绝缘材料上分别制作栅极、源极和漏极，最后将源极、漏极与对应的硅岛相连，组成TFT器件。 | ||
| 地址 | 200240 上海市闵行区东川路800号 | ||