发明名称 |
使用具有对称电学特性的物理上非对称半导体装置的系统和方法 |
摘要 |
一种集成电路装置包括第一伸长结构和第二伸长结构,所述第一伸长结构和所述第二伸长结构被布置成彼此平行且在其之间界定空间。所述集成电路装置还包含导电结构,所述导电结构分布于所述第一与第二伸长结构之间的所述空间中。所述导电结构中的至少第一导电结构被放置成相较于所述第二伸长结构更接近于所述第一伸长结构。所述导电结构中的至少第二导电结构被放置成相较于所述第一伸长结构更接近于所述第二伸长结构。 |
申请公布号 |
CN102714178B |
申请公布日期 |
2015.06.03 |
申请号 |
CN201080061270.3 |
申请日期 |
2010.12.15 |
申请人 |
高通股份有限公司 |
发明人 |
海宁·杨;肖克·H·甘;王忠泽;韩秉莫 |
分类号 |
H01L21/8234(2006.01)I;H01L27/02(2006.01)I;H01L27/088(2006.01)I |
主分类号 |
H01L21/8234(2006.01)I |
代理机构 |
北京律盟知识产权代理有限责任公司 11287 |
代理人 |
宋献涛 |
主权项 |
一种集成电路装置,其包括:第一半导体结构、第二半导体结构和第三半导体结构,每一半导体结构置于半导体衬底的表面上,所述第二半导体结构在所述第一半导体结构和所述第三半导体结构之间,且被布置成与所述第一半导体结构和所述第三半导体结构的每一者紧接,在所述第一半导体结构和所述第二半导体结构之间界定第一空间,且在所述第二半导体结构和所述第三半导体结构之间界定第二空间;第一多个导电结构和第二多个导电结构,所述第一多个导电结构和所述第二多个导电结构的每一者置于半导体衬底的表面上,所述第一多个导电结构和所述第二多个导电结构分别分布于所述第一空间和所述第二空间中,所述第一导电结构中的至少第一导电结构被放置成相较于所述第二半导体结构更接近于所述第一半导体结构,且所述导电结构中的至少第二导电结构被放置成相较于所述第一半导体结构更接近于所述第二半导体结构,其中所述第一多个导电结构的第一群组具有从所述第一与第二半导体结构之间的对称线的第一偏移,且所述第一多个导电结构的第二群组具有从所述对称线的第二偏移,所述第一与第二偏移实质上抵消,所述第二多个导电结构具有与所述第一多个导电结构的图案相镜像的非对称图案。 |
地址 |
美国加利福尼亚州 |