| 发明名称 | 可以减少AlN冷阴极表面氧化的电子接收结构 | ||
| 摘要 | 一种可以减少AlN冷阴极表面氧化的电子接收结构，包括：一n型SiC衬底；一n型金属电极，其制作在n型SiC衬底下表面；一AlN冷阴极，其外延生长在n型SiC衬底上；一金属阳极；一二氧化硅绝缘层，其制作在金属阳极上，该二氧化硅绝缘层的中间为电子发射-接收窗口；其中该制作有二氧化硅绝缘层的金属阳极扣置在AlN冷阴极的表面；一高压源，其正极连接金属阳极；一电流计，其正极连接高压源，负极与n型金属电极连接。本发明可以减少AlN冷阴极材料的表面氧化，提高其电子发射性能。 | ||
| 申请公布号 | CN104681374A | 申请公布日期 | 2015.06.03 |
| 申请号 | CN201510093713.1 | 申请日期 | 2015.03.03 |
| 申请人 | 中国科学院半导体研究所 | 发明人 | 陈平;赵德刚;朱建军;刘宗顺;江德生;杨辉 |
| 分类号 | H01J1/304(2006.01)I;H01J1/38(2006.01)I | 主分类号 | H01J1/304(2006.01)I |
| 代理机构 | 中科专利商标代理有限责任公司 11021 | 代理人 | 任岩 |
| 主权项 | 一种可以减少AlN冷阴极表面氧化的电子接收结构，包括：一n型SiC衬底；一n型金属电极，其制作在n型SiC衬底下表面；一AlN冷阴极，其外延生长在n型SiC衬底上；一金属阳极；一二氧化硅绝缘层，其制作在金属阳极上，该二氧化硅绝缘层的中间为电子发射‑接收窗口；其中该制作有二氧化硅绝缘层的金属阳极扣置在AlN冷阴极的表面；一高压源，其正极连接金属阳极；一电流计，其正极连接高压源，负极与n型金属电极连接。 | ||
| 地址 | 100083 北京市海淀区清华东路甲35号 | ||