| 发明名称 | 光电子器件和用于制造光电子器件的方法 | ||
| 摘要 | 提出一种用于制造光电子器件的方法，所述方法包括下述步骤：提供衬底；将成核层施加在衬底的表面上；将掩模层施加在成核层上并且结构化；在第一生长步骤中生长氮化物半导体，其中设立连接片，所述连接片构成横向栅格，其中连接片沿生长方向分部段地具有梯形的横截面；以及在第二生长步骤中横向地在连接片之上生长氮化物半导体，以便闭合在连接片之间的空腔。 | ||
| 申请公布号 | CN104685642A | 申请公布日期 | 2015.06.03 |
| 申请号 | CN201380050756.0 | 申请日期 | 2013.09.18 |
| 申请人 | 欧司朗光电半导体有限公司 | 发明人 | 约阿希姆·赫特功;简-菲利普·阿尔;洛伦佐·齐尼;马蒂亚斯·彼得;托比亚斯·迈耶;亚历山大·弗里 |
| 分类号 | H01L33/00(2006.01)I;H01L21/02(2006.01)I;H01L33/02(2006.01)I | 主分类号 | H01L33/00(2006.01)I |
| 代理机构 | 北京集佳知识产权代理有限公司 11227 | 代理人 | 丁永凡;张春水 |
| 主权项 | 一种用于制造光电子器件的方法，所述方法具有下述步骤：‑提供衬底(500)；‑将成核层(400)施加在所述衬底(500)的表面上；‑将掩模层(200)施加在所述成核层(400)上并且结构化；‑在第一生长步骤(15)中生长氮化物半导体(320)，其中设立连接片(340)，所述连接片形成横向栅格(360)，其中所述连接片(340)沿生长方向(12)分部段地具有梯形的横截面(321)；‑在第二生长步骤(25)中横向地在所述连接片(340)之上生长氮化物半导体(330)，以使在所述连接片(340)之间的空腔(350)关闭。 | ||
| 地址 | 德国雷根斯堡 | ||