发明名称 |
4700nm长波通红外滤光敏感元件 |
摘要 |
本实用新型公开了一种4700nm长波通红外滤光敏感元件,包括以Si为原材料的基板,以Ge、ZnS为第一镀膜层和以Ge、ZnS为第二镀膜层,且所述基板设于第一镀膜层与第二镀膜层之间。本实用新型所得到的一种4700nm长波通红外滤光敏感元件,其在温度测量过程中,可大大的提高信噪比,提高测试精准度,适合于大范围的推广和使用。该滤光敏感元件5%Cut on=4700nm,6700~13500nm,Tavg≥70%,1500~4200nm,Tavg≤0.5%,T≤3.0%。 |
申请公布号 |
CN204374468U |
申请公布日期 |
2015.06.03 |
申请号 |
CN201420757548.6 |
申请日期 |
2014.12.07 |
申请人 |
杭州麦乐克电子科技有限公司 |
发明人 |
王继平;刘晶;吕晶 |
分类号 |
G02B5/20(2006.01)I |
主分类号 |
G02B5/20(2006.01)I |
代理机构 |
杭州斯可睿专利事务所有限公司 33241 |
代理人 |
周豪靖 |
主权项 |
一种4700nm长波通红外滤光敏感元件,包括以Si为原材料的基板(2),以Ge、ZnS为第一镀膜层(1)和以Ge、ZnS为第二镀膜层(3),且所述基板(2)设于第一镀膜层(1)与第二镀膜层(3)之间,其特征是所述第一镀膜层(1)由内向外依次排列包含有96nm厚度的Ge层、158nm厚度的ZnS层、139nm厚度的Ge层、147nm厚度的ZnS层、106nm厚度的Ge层、157nm厚度的ZnS层、89nm厚度的Ge层、220nm厚度的ZnS层、118nm厚度的Ge层、198nm厚度的ZnS层、99nm厚度的Ge层、156nm厚度的ZnS层、101nm厚度的Ge层、169nm厚度的ZnS层、134nm厚度的Ge层、163nm厚度的ZnS层、185nm厚度的Ge层、232nm厚度的ZnS层、177nm厚度的Ge层、166nm厚度的ZnS层、135nm厚度的Ge层、261nm厚度的ZnS层、206nm厚度的Ge层、158nm厚度的ZnS层、110nm厚度的Ge层、143nm厚度的ZnS层、241nm厚度的Ge层、126nm厚度的ZnS层、215nm厚度的Ge层、209nm厚度的ZnS层、193nm厚度的Ge层、924nm厚度的ZnS层;所述的第二镀膜层(3)由内向外依次排列包含有109nm厚度的Ge层、152nm厚度的ZnS层、243nm厚度的Ge层、213nm厚度的ZnS层、203nm厚度的Ge层、248nm厚度的ZnS层、189nm厚度的Ge层、296nm厚度的ZnS层、185nm厚度的Ge层、347nm厚度的ZnS层、163nm厚度的Ge层、364nm厚度的ZnS层、141nm厚度的Ge层、351nm厚度的ZnS层、184nm厚度的Ge层、358nm厚度的ZnS层、261nm厚度的Ge层、354nm厚度的ZnS层、267nm厚度的Ge层、470nm厚度的ZnS层、197nm厚度的Ge层、561nm厚度的ZnS层、231nm厚度的Ge层、367nm厚度的ZnS层、372nm厚度的Ge层、265nm厚度的ZnS层、260nm厚度的Ge层、1005nm厚度的ZnS层。 |
地址 |
311188 浙江省杭州市钱江经济开发区兴国路503-2-101 |