发明名称 | 操作非易失存储器器件的方法 | ||
摘要 | 公开了操作非易失存储器器件的方法。操作非易失存储器器件的方法包含预充电耦合到串的位线,向选定字线提供第一验证电压并且向除了所述选定字线之外的字线提供通过电压,向所述位线和感测节点之间耦合的开关元件提供第一感测脉冲并且检测均具有高于所述第一验证电压的阈值电压的存储器单元,向所述选定字线提供高于所述第一验证电压的第二验证电压,并且向除了所述选定字线之外的字线提供通过电压,以及向所述开关元件提供第二感测脉冲并且检测均具有高于所述第二验证电压的阈值电压的存储器单元。 | ||
申请公布号 | CN101937714B | 申请公布日期 | 2015.06.03 |
申请号 | CN201010222742.0 | 申请日期 | 2010.06.30 |
申请人 | 海力士半导体有限公司 | 发明人 | 李银晶 |
分类号 | G11C16/24(2006.01)I | 主分类号 | G11C16/24(2006.01)I |
代理机构 | 北京集佳知识产权代理有限公司 11227 | 代理人 | 杜诚;李春晖 |
主权项 | 一种操作非易失存储器器件的方法,所述方法包括:预充电耦合到串的位线;向选定字线提供第一验证电压并且向除了所述选定字线之外的字线提供通过电压;向所述位线和感测节点之间耦合的开关元件提供第一感测脉冲并且检测均具有高于所述第一验证电压的阈值电压的存储器单元;向所述选定字线提供高于所述第一验证电压的第二验证电压,并且向除了所述选定字线之外的字线提供通过电压;和向所述开关元件提供第二感测脉冲并且检测均具有高于所述第二验证电压的阈值电压的存储器单元。 | ||
地址 | 韩国京畿道利川市 |