多晶硅熔丝构成的OTP器件及其操作方法

摘要

本发明公开了一种多晶硅熔丝构成的OTP器件，所述OTP器件的单元结构包括选择晶体管和熔丝电阻；所述选择晶体管为MOS晶体管或双极型晶体管，其源极或漏极中的一个与所述熔丝电阻相连接，其栅极连接字线，其源极或漏极中的另一个连接源线；所述熔丝电阻包括两端的电极部分及连接两个电极部分的熔丝部分，所述熔丝电阻为多晶硅材质，其一端电极与所述选择晶体管的源极或漏极中的一个相连接，其另一端电极与位线相连接。本发明还公开了所述多晶硅熔丝构成的OTP器件的操作方法。本发明所公开的OTP器件不再利用浮栅存储数据，也不再采用CHE机制进行编程，因而一方面提高了器件的编程速度，另一方面保证了晶体管使用寿命的可靠性。

主权项

一种多晶硅熔丝构成的OTP器件，其特征是，所述OTP器件的单元结构包括选择晶体管和熔丝电阻；所述选择晶体管为MOS晶体管或双极型晶体管，所述选择晶体管的源极或漏极中的一个与所述熔丝电阻相连接，所述选择晶体管的栅极连接字线，所述选择晶体管的源极或漏极中的另一个连接源线；所述熔丝电阻包括两端的电极部分及连接两个电极部分的熔丝部分，所述熔丝电阻为多晶硅材质，所述熔丝电阻的一端电极与所述选择晶体管的源极或漏极中的一个相连接，所述熔丝电阻的另一端电极与位线相连接，且从位线读取编程前后的OTP器件的电流。