| 发明名称 | 用于优化X射线噪声性能的像素结构 | ||
| 摘要 | 提供了一种用于图像传感器的像素（100），其中，像素（100）基于掺杂基板（110），在该掺杂基板上设置了轻掺杂的外延层（120）。感光结构（130）和绝缘反向偏置阱（140）被限定在外延层（120）中，并且感光结构（130）被封装在反向偏置阱（140）中。可选地，或作为补充，像素（100）包括遍及外延层的全部或至少主要部分在感光结构（130）的各侧上延伸的绝缘阱，以提供与图像传感器的相邻像素的绝缘。 | ||
| 申请公布号 | CN102844866B | 申请公布日期 | 2015.06.03 |
| 申请号 | CN201180019119.8 | 申请日期 | 2011.04.01 |
| 申请人 | 斯基恩特-X公司 | 发明人 | 奥洛夫·斯韦诺纽斯 |
| 分类号 | H01L27/146(2006.01)I;G01T1/20(2006.01)I | 主分类号 | H01L27/146(2006.01)I |
| 代理机构 | 北京康信知识产权代理有限责任公司 11240 | 代理人 | 余刚;吴孟秋 |
| 主权项 | 一种x射线传感器系统，包括：闪烁器(10)，被配置为吸收x射线光子并发射可见光范围内的光子以由此产生光图像；图像传感器(20)，与所述闪烁器(10)结合设置，并被配置为用来捕获所述光图像，其中，所述图像传感器(20)包括基于掺杂基板(110)的像素(100)，在所述掺杂基板上设置了轻掺杂的外延层(120)，其中，绝缘反向偏置阱(140)被限定在所述外延层(120)中，所述绝缘反向偏置阱(140)小于所述外延层(120)，并且感光结构(130)被封装在所述反向偏置阱(140)中，所述感光结构(130)小于所述绝缘反向偏置阱(140)，其中，所述感光结构(130)用作来自所述闪烁器(10)的光在其中被转换为构成信号的电载流子的耗尽区，并且所述感光结构(130)整体被包含在所述反向偏置阱(140)中。 | ||
| 地址 | 瑞典希斯塔 | ||