发明名称 IC内置基板及其制造方法
摘要 本发明涉及IC内置基板,其包含具有开口部的芯基板、设置于开口部内的IC芯片、下部绝缘层和上部绝缘层。IC芯片和芯基板被夹在下部绝缘层和上部绝缘层之间。上部绝缘层以填充IC芯片的侧面和芯基板的开口部的内周面之间的间隙的方式而形成。从IC芯片的上表面到上部绝缘层的上表面的第一距离比从芯基板的上表面到上部绝缘层的上表面的第二距离短。
申请公布号 CN104684254A 申请公布日期 2015.06.03
申请号 CN201410705847.X 申请日期 2014.11.27
申请人 TDK株式会社 发明人 露谷和俊;胜俣正史
分类号 H05K1/18(2006.01)I;H05K3/30(2006.01)I;H05K3/46(2006.01)I 主分类号 H05K1/18(2006.01)I
代理机构 北京尚诚知识产权代理有限公司 11322 代理人 杨琦
主权项 一种IC内置基板,其特征在于,包含:下部绝缘层;下部布线层,其形成于所述下部绝缘层的下表面;芯基板,其形成于所述下部绝缘层的上表面;IC芯片,其面朝上搭载于所述下部绝缘层的所述上表面;上部绝缘层,其覆盖所述芯基板的上表面和所述IC芯片的上表面;上部布线层,其形成于所述上部绝缘层的上表面;以及通孔导体,其贯通所述上部绝缘层而连接所述上部布线层和所述IC芯片,所述芯基板具有开口部,所述IC芯片设置于所述开口部内,所述上部绝缘层以填充所述IC芯片的侧面和所述芯基板的开口部的内周面之间的间隙的方式而形成,从所述IC芯片的所述上表面到所述上部绝缘层的所述上表面的第一距离比从所述芯基板的所述上表面到所述上部绝缘层的所述上表面的第二距离短。
地址 日本东京都