半导体器件和栅极的形成方法

摘要

本发明提供一种半导体器件和栅极的形成方法。在半导体器件形成方法中，在光刻胶层经图案化形成光刻胶图案后，对光刻胶图案进行软化处理工艺，降低光刻胶图案表面粗糙度；之后，采用Ar等离子气体处理光刻胶图案，去除在软化处理工艺中，由光刻胶图案侧壁滑落的部分光刻胶而形成于光刻胶侧壁底部的堆叠；之后再对光刻胶图案进行固化处理，强化光刻胶图案结构，并在光刻胶图案的表面形成修饰层，以进一步提高光刻胶图案的表面平整度，优化光刻胶图案结构，确保光刻胶图案的精确度，和后续以该光刻胶图案为掩膜刻蚀硬掩膜层后获得的硬掩膜图案的精确度，以及之后以硬掩膜图案为掩膜刻蚀待刻蚀材料层后，形成的半导体器件的结构精确度。

主权项

一种半导体器件的形成方法，其特征在于，包括：提供半导体衬底；在所述半导体衬底上形成待刻蚀材料层，在所述待刻蚀材料层上形成硬掩膜层，在硬掩膜层上形成光刻胶层；图案化所述光刻胶层，形成光刻胶图案；对所述光刻胶图案进行软化处理；以Ar等离子气体处理所述光刻胶图案；对所述光刻胶图案进行固化处理，在所述光刻胶图案的表面形成修饰层；以所述光刻胶图案为掩膜刻蚀所述硬掩膜层，形成硬掩膜图案；以所述硬掩膜图案为掩膜刻蚀所述待刻蚀材料层。