一种DMOS器件及其制作方法

摘要

本发明公开了一种DMOS器件及其制作方法，用以减少DMOS器件的制作过程中的光刻和刻蚀过程，简化DMOS器件的制作工艺流程。所述方法包括：在生成了N型硅半导体衬底、N型硅半导体外延层、栅氧化层及多晶硅层之后，在多晶硅层上生长第一介质层，通过光刻及刻蚀将多晶硅层和第一介质层形成凹槽，露出栅氧化层；通过所述凹槽将P型体区注入N型硅半导体外延层，并对P型体区进行驱入；通过所述凹槽将N型源区注入P型体区中。

主权项

一种双扩散金属氧化物半导体DMOS器件的制作方法，其特征在于，该方法包括：在生成了N型硅半导体衬底、N型硅半导体外延层、栅氧化层及多晶硅层之后，在多晶硅层上生长第一介质层，通过光刻及刻蚀将多晶硅层和第一介质层形成凹槽，露出栅氧化层；通过所述凹槽将P型体区注入N型硅半导体外延层，并对P型体区进行驱入；通过所述凹槽将N型源区注入P型体区中；在所述通过所述凹槽将N型源区注入P型体区中之后，生长氮化硅层，该氮化硅层在所述凹槽的多晶硅层和第一介质层的侧壁形成第一侧墙；通过形成有第一侧墙的凹槽，注入深体区；在所述注入深体区之后，积淀第二介质层，该第二介质层在凹槽的第一侧墙上形成第二侧墙；对第二介质层进行刻蚀，保留在凹槽的第一侧墙上形成的第二侧墙；通过形成有第二侧墙的凹槽，在N型源区中注入P型重掺杂，形成P型重掺杂区；将所述第二侧墙腐蚀掉。