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经营范围
发明名称
ＩＩＩ族窒化物半導体発光素子およびその製造方法
摘要
申请公布号
JP5729328(B2)
申请公布日期
2015.06.03
申请号
JP20120031522
申请日期
2012.02.16
申请人
发明人
分类号
H01L33/38;H01L33/22;H01L33/44
主分类号
H01L33/38
代理机构
代理人
主权项
地址
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