发明名称 一种防污自洁PVC膜结构材料表面处理方法
摘要 本发明涉及一种防污自洁PVC膜结构材料表面处理方法,通过对PVC膜结构材料表面进行粗糙结构构筑及其离子化处理,并将带负电荷的纳米二氧化硅粒子静电自组装到PVC膜结构材料表面;该处理方法首先对PVC膜结构材料进行NaOH刻蚀来构建表面粗糙微结构,然后对构建表面粗糙微结构的PVC膜结构材料进行离子化处理,再以TEOS为先驱剂,通过水解、脱水和缩聚反应制备纳米SiO<sub>2</sub>粒子,调节溶液pH值,使溶液pH>7.0,得到含带负电纳米SiO<sub>2</sub>粒子均匀分散的碱性溶液,最后将已处理过的PVC膜结构材料经带负电荷SiO<sub>2</sub>粒子溶胶一凝胶浸轧处理。本发明易于操作和工业实施,制得的PVC膜结构材料具有优异的防污自洁效果。
申请公布号 CN104672480A 申请公布日期 2015.06.03
申请号 CN201410771991.3 申请日期 2014.12.16
申请人 丁新波 发明人 丁新波;刘涛;韩建
分类号 C08J7/06(2006.01)I;C08J7/12(2006.01)I;C08J7/00(2006.01)I;C08L27/06(2006.01)I 主分类号 C08J7/06(2006.01)I
代理机构 代理人
主权项 一种防污自洁PVC膜结构材料表面处理方法,其特征在于:该处理方法通过对PVC膜结构材料表面进行粗糙结构构筑及其离子化处理,并将带负电荷的纳米二氧化硅(SiO<sub>2</sub>)粒子静电自组装到PVC膜结构材料表面;该处理方法按照如下步骤进行:步骤一,对PVC膜结构材料进行NaOH刻蚀来构建表面粗糙微结构;步骤二,对构建表面粗糙微结构的PVC膜结构材料进行离子化处理;步骤三,以正硅酸乙酯(TEOS)为先驱剂,通过水解、脱水和缩聚反应制备纳米SiO<sub>2</sub>粒子,调节溶液pH值,使溶液的pH>7.0,使溶液中纳米SiO<sub>2</sub>粒子均匀分散,得到含带负电纳米SiO<sub>2</sub>粒子均匀分散的碱性溶液;步骤四,利用静电自组装技术,将已构建表面粗糙微结构和离子化处理的PVC膜结构材料经带负电荷SiO<sub>2</sub>粒子溶胶‑凝胶浸轧处理。
地址 310018 浙江省杭州市江干区6号大街金沙学府50幢2单元301室
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