发明名称 | 太赫兹调制器、太赫兹调制器的制备方法和调谐方法 | ||
摘要 | 本发明公开了一种太赫兹调制器、太赫兹调制器的制备方法和调谐方法。该太赫兹调制器包括:铜谐振环阵列(1)、二氧化钒薄膜(2)、二氧化硅基底(3)、宽带太赫兹源(4)和泵浦激光源(5),其中,铜谐振环阵列(1)和二氧化硅基底(3)形成超材料,二氧化钒薄膜(2)镀在二氧化硅基底(3)的后表面。本发明实施的太赫兹调制器可以实现光控高速宽带太赫兹强度调制。 | ||
申请公布号 | CN104678598A | 申请公布日期 | 2015.06.03 |
申请号 | CN201510149501.0 | 申请日期 | 2015.03.31 |
申请人 | 中国石油大学(华东) | 发明人 | 张会;徐先锋 |
分类号 | G02F1/03(2006.01)I | 主分类号 | G02F1/03(2006.01)I |
代理机构 | 代理人 | ||
主权项 | 一种太赫兹调制器,其特征在于,包括:铜谐振环阵列(1)、二氧化钒薄膜(2)、二氧化硅基底(3)、宽带太赫兹源(4)和泵浦激光源(5),其中,所述铜谐振环阵列(1)和所述二氧化硅基底(3)形成超材料,所述二氧化钒薄膜(2)镀在所述二氧化硅基底(3)的后表面。 | ||
地址 | 266580 山东省青岛市黄岛区长江西路66号 |