一种半导体器件以及制作半导体器件的方法

摘要

本发明公开了一种半导体器件以及制作半导体器件的方法。根据本发明提出的回刻蚀STI区域中的隔离材料层的方法形成的浅沟槽隔离结构的顶部表面的横截面为倒梯形的凹槽形结构，以使形成的非易失性存储器具有较高的栅极耦合比率；在回刻蚀STI区域中的隔离材料层时STI的侧墙保护浮栅多晶硅以避免对浮栅的损耗；在非易失性存储器中形成合适的浅沟槽结构，能使非易失性存储器具有较快擦除速度；STI边缘和堆叠栅极之间适当的距离将有利于增强闪存存储器的可靠性；还有利于提高器件的循环性能。

主权项

一种制作半导体器件的方法，包括：提供半导体衬底，在所述半导体衬底上形成有硬掩膜层，所述硬掩膜层包括依次层叠的氧化物层和氮化物层；刻蚀所述硬掩膜层和所述半导体衬底，以形成浅沟槽；在所述浅沟槽中填充隔离材料层，所述隔离材料层的表面与所述硬掩膜的表面平齐；去除所述氮化物层；在所述半导体衬底上形成侧墙材料层；刻蚀所述侧墙材料层，在高于所述氧化物层表面的所述隔离材料层的两侧形成侧墙；在所述半导体衬底上形成浮栅材料层；对所述浮栅材料层执行平坦化工艺，直至露出所述隔离材料层的顶部为止，以形成浮栅结构；刻蚀去除部分露出的所述隔离材料层，以形成浅沟槽隔离结构，所述浅沟槽隔离结构的顶部表面的横截面为凹槽形结构；去除所述侧墙。