| 发明名称 | 氧化物薄膜晶体管及包括氧化物薄膜晶体管的阵列基板 | ||
| 摘要 | 本发明提供一种氧化物薄膜晶体管(TFT)，该氧化物TFT包括：包括第一半导体层和在该第一半导体层上的第二半导体层的氧化物半导体层；在氧化物半导体层上的栅绝缘层；在栅绝缘层上的栅极；在栅极上的层间绝缘层；以及在层间绝缘层上且与氧化物半导体层接触的源极和漏极，其中第一半导体层的第一反射系数比第二半导体层的第二反射系数大。 | ||
| 申请公布号 | CN104681623A | 申请公布日期 | 2015.06.03 |
| 申请号 | CN201410688146.X | 申请日期 | 2014.11.25 |
| 申请人 | 乐金显示有限公司 | 发明人 | 杨熙正;扈源俊;金娥罗 |
| 分类号 | H01L29/786(2006.01)I;H01L27/32(2006.01)I;H01L29/06(2006.01)I | 主分类号 | H01L29/786(2006.01)I |
| 代理机构 | 北京律诚同业知识产权代理有限公司 11006 | 代理人 | 徐金国 |
| 主权项 | 一种氧化物薄膜晶体管，包括：氧化物半导体层，所述氧化物半导体层包括第一半导体层和在所述第一半导体层上的第二半导体层；在所述氧化物半导体层上的栅绝缘层；在所述栅绝缘层上的栅极；在所述栅极上的层间绝缘层；以及在所述层间绝缘层上且接触所述氧化物半导体层的源极和漏极，其中所述第一半导体层的第一反射系数比所述第二半导体层的第二反射系数大。 | ||
| 地址 | 韩国首尔 | ||