| 发明名称 | 光电子器件和用于其制造的方法 | ||
| 摘要 | 一种光电子器件，所述光电子器件包括具有光有源层的层结构。在此，光有源层在第一横向区域中具有比在第二横向区域中更高的V型缺陷密度。 | ||
| 申请公布号 | CN104685644A | 申请公布日期 | 2015.06.03 |
| 申请号 | CN201380050790.8 | 申请日期 | 2013.09.24 |
| 申请人 | 欧司朗光电半导体有限公司 | 发明人 | 克里斯蒂安·莱雷尔;托比亚斯·迈耶;马蒂亚斯·彼得;于尔根·奥弗;约阿希姆·赫特功;安德烈亚斯·莱夫勒;亚历山大·沃尔特;达里奥·斯基亚翁 |
| 分类号 | H01L33/06(2006.01)I | 主分类号 | H01L33/06(2006.01)I |
| 代理机构 | 北京集佳知识产权代理有限公司 11227 | 代理人 | 丁永凡;张春水 |
| 主权项 | 一种光电子器件(1000)，所述光电子器件具有：具有光有源层(200，402，412，422，550，630)的层结构(100，400，410，420，500，600，700，800，900，1025)，其中所述光有源层(200，402，412，422，550，630)在第一横向区域(403，413，423，533，613，713)中具有比在第二横向区域(404，414，424，534，614，714)中更高的V型缺陷(300)的密度。 | ||
| 地址 | 德国雷根斯堡 | ||