发明名称 压电陶瓷组合物及其制造方法
摘要 提供一种具有良好的压电特性并且特性偏差小的压电陶瓷组合物。压电陶瓷组合物(10)含有由化学式ABO<sub>3</sub>表示的钙钛矿结构的结晶相作为主相。A元素是选自K、Na、Li中的一种以上的元素,B元素是选自Nb、Ta、Sb中的一种以上的元素。压电陶瓷组合物(10)中添加有与A元素和B元素不同的其他元素。在压电陶瓷组合物(10)的粉末试样的X射线衍射图谱中,存在表示有主相和不属于由化学式A<sub>s</sub>B<sub>t</sub>O<sub>u</sub>(s&lt;t&lt;u)表示的钙钛矿结构的结晶结构的异相存在的衍射峰。以表示存在异相的主峰的衍射强度I<sub>max</sub>(2θ=29.3°)与表示存在主相的主峰的衍射强度I<sub>max</sub>(2θ=31.8°)之强度比v在0&lt;v≤0.088范围的组成制造压电陶瓷组合物(10)。
申请公布号 CN103503185B 申请公布日期 2015.06.03
申请号 CN201280001714.3 申请日期 2012.03.02
申请人 本多电子株式会社 发明人 流田贤治;董敦灼
分类号 H01L41/187(2006.01)I 主分类号 H01L41/187(2006.01)I
代理机构 北京泛华伟业知识产权代理有限公司 11280 代理人 王勇
主权项 一种压电陶瓷组合物,其特征在于,作为主相,含有由化学式ABO<sub>3</sub>表示的钙钛矿结构的结晶相,其中A元素是选自K、Na、Li中的一种以上的元素,B元素是选自Nb、Ta、Sb中的一种以上的元素,构成中,含有与上述A元素和上述B元素不同的其他元素作为添加物,在将该压电陶瓷组合物粉碎为粒径10μm以下的粉末试样的X射线衍射图谱中,存在表示有上述主相和异相存在的衍射峰,其中该异相的结晶结构不属于由化学式A<sub>s</sub>B<sub>t</sub>O<sub>u</sub>表示的钙钛矿结构,其中s&lt;t&lt;u,在2θ=29.3°附近表示存在上述异相的主峰的衍射强度I<sub>max</sub>(2θ=29.3°)与在2θ=31.8°附近表示存在上述主相的主峰的衍射强度I<sub>max</sub>(2θ=31.8°)之强度比v=I<sub>max</sub>(2θ=29.3°)/I<sub>max</sub>(2θ=31.8°)在0&lt;v≤0.088的范围。
地址 日本爱知县