发明名称 METHOD OF MANUFACTURING SEMICONDUCTOR DEVICE
摘要 <p>반도체 소자의 제조방법이 개시된다. 상기 방법은 개구부를 갖는 절연층의 상부면 및 상기 개구부 내에 상변화 물질 패턴을 형성하는 단계와 상기 상변화 물질 패턴 상에 상기 상변화 물질 패턴을 압축하는 압축막을 형성하는 단계를 포함한다.</p>
申请公布号 KR101525588(B1) 申请公布日期 2015.06.03
申请号 KR20080095936 申请日期 2008.09.30
申请人 发明人
分类号 H01L21/8247;H01L27/115 主分类号 H01L21/8247
代理机构 代理人
主权项
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