用于ESD保护的硅控整流管结构

摘要

本发明公开了一种用于ESD保护的硅控整流管结构，其包括两个具有相反导电类型的第一阱区和第二阱区，所述第一阱区和第二阱区的交界区域表面设有具第一导电类型的第一扩散区，所述第一扩散区的掺杂浓度大于与其相接触的具有相同导电类型的阱区的掺杂浓度；在与所述第一扩散区具有相反导电类型的阱区中，设有与该阱区具有相同导电类型且掺杂浓度高于该阱区的第三阱区，所述第三阱区位于与所述第一扩散区相邻的隔离区下方。该硅控整流管结构在导通能力不下降的情况下，具有较高的嵌位电压，因此降低了发生闩锁失效的风险。

主权项

一种用于ESD保护的硅控整流管结构，所述硅控整流管制备在两个具有相反导电类型的第一阱区和第二阱区上，其特征在于：所述第一阱区和第二阱区的交界区域表面设有具第一导电类型的第一扩散区，所述交界区域位于所述硅控整流管的阳极和阴极之间的电流通路上，所述第一扩散区的掺杂浓度比与其相接触的具有相同导电类型的阱区的掺杂浓度要高；在与所述第一扩散区具有相反导电类型的阱区中，设有与该阱区具有相同导电类型且掺杂浓度高于该阱区的第三阱区，所述第三阱区位于靠近第一扩散区的隔离区下方；所述第一阱区表面设有导电类型与其相反的第二扩散区，所述第二阱区表面设有导电类型与其相反的第三扩散区，所述第一扩散区通过隔离区与所述第二扩散区和所述第三扩散区相隔离；所述第二扩散区为N型扩散区，作为NPN三极管的发射区；所述第一阱区为所述NPN三极管的基区，所述第二阱区为所述NPN三极管的集电区，其中所述NPN三极管的发射区和基区一起形成所述硅控整流管的阴极；所述第三扩散区为P型扩散区，作为PNP三极管的发射区；所述第二阱区为所述PNP三极管的基区，所述第一阱区为所述PNP三极管的集电区，其中所述PNP三极管的发射区和基区一起形成所述硅控整流管的阳极。