PIN二极管及其制造方法

摘要

本发明公开了一种PIN二极管，在p型硅衬底中具有隔离结构；在隔离结构底部的p型硅衬底中具有p型赝埋层，作为PIN二极管的p型半导体部分；在两个隔离结构之间的p型硅衬底中具有第一n型掺杂区，该第一n型掺杂区作为PIN二极管的本征半导体部分，其与p型赝埋层相接触；在两个隔离结构之间且在第一n型掺杂区的表面具有掺杂浓度更高的第二n型掺杂区，在第二n型掺杂区之上具有n型多晶硅，该第二n型掺杂区与n型多晶硅一起作为PIN二极管的n型半导体部分；第一接触孔电极穿越p型多晶硅和隔离结构与p型赝埋层相接触；第二接触孔电极与n型多晶硅相接触。本发明还公开了其制造方法，可降低制造成本，并具有较低的串联电阻，且使各方向的电流均匀。

主权项

一种PIN二极管，在p型硅衬底中具有隔离结构；其特征是，在隔离结构底部的p型硅衬底中具有p型赝埋层，作为PIN二极管的p型半导体部分；在两个隔离结构之间的p型硅衬底中具有第一n型掺杂区，该第一n型掺杂区作为PIN二极管的本征半导体部分，其与p型赝埋层相接触；在两个隔离结构之间且在第一n型掺杂区的表面具有掺杂浓度更高的第二n型掺杂区，在第二n型掺杂区之上具有n型多晶硅，该第二n型掺杂区与n型多晶硅一起作为PIN二极管的n型半导体部分；在隔离结构之上具有p型多晶硅；第一接触孔电极穿越p型多晶硅和隔离结构与p型赝埋层相接触；第二接触孔电极与n型多晶硅相接触。