发明名称 一种高热导率金刚石/Cu电子封装复合材料的制备方法
摘要 一种高热导率金刚石/Cu电子封装复合材料的制备方法,属于金属基复合材料和电子封装材料领域。其特征是首先采用粉末覆盖燃烧法对金刚石表面镀Mo,然后采用气体压渗法制备金刚石/铜复合材料。镀覆层从内向外,内层是Mo<sub>2</sub>C层,该层强固地附着在金刚石表面上;外层为Mo层,该层的形成,使金刚石表面具有金属特性。由于压力熔渗在真空中进行,压力下凝固,复合材料中无气孔、疏松、缩孔等缺陷,组织致密。本发明制备的金刚石/Cu电子封装复合材料的热导率高达837W/(m·K)。
申请公布号 CN104674053A 申请公布日期 2015.06.03
申请号 CN201510037466.3 申请日期 2015.01.26
申请人 北京科技大学 发明人 杨滨;赵妍冰;张洋;王西涛
分类号 C22C9/00(2006.01)I;C22C26/00(2006.01)I;H01L23/29(2006.01)I;H01L23/373(2006.01)I 主分类号 C22C9/00(2006.01)I
代理机构 北京市广友专利事务所有限责任公司 11237 代理人 张仲波
主权项 一种高热导率金刚石/Cu电子封装复合材料的制备方法,其特征在于:首先采用粉末覆盖燃烧法对金刚石表面镀Mo,将金刚石:MoO<sub>3</sub>=1:2~1:4(wt%)置于玛瑙研钵中混合均匀,将其装于氧化铝坩埚中,分别置于通有氢气、氩气气氛的管式炉中加热,温度为900~1050℃,保温时间2‑4h,完成镀钼过程;镀钼后的金刚石颗粒随炉冷却取出后,对金刚石颗粒进行超声波清洗并烘干;将处理后的金刚石装入Al<sub>2</sub>O<sub>3</sub>陶瓷管内振实,形成金刚石颗粒多孔体预制体;将镀覆后的金刚石颗粒的预制体放入石墨模具中,Cu装入坩埚;然后将石墨模具和坩埚放入浸渗炉内,密封和紧固浸渗炉炉体;将浸渗炉炉腔抽真空,当浸渗炉炉腔达到预定真空度后开始加热预制体、熔化Cu;控制加热过程使金刚石颗粒预制体和熔融Cu达到预定温度后施加一定的成形压力,保温一定时间,使得液态Cu渗入金刚石颗粒预制体并充满颗粒间的孔隙,最终获得高导热率的金刚石/Cu电子封装复合材料。
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