| 发明名称 | 高电子密度的导电性钙铝石化合物的制造方法 | ||
| 摘要 | 本发明涉及一种导电性钙铝石化合物的制造方法，其中，包括准备含有钙铝石化合物的被处理体的工序；将所述被处理体在一氧化碳气体以及由铝源供给的铝蒸汽的存在下以不接触所述铝源的状态进行配置，在还原性气氛下将所述被处理体保持在1080℃～1450℃的温度范围的工序。 | ||
| 申请公布号 | CN104684868A | 申请公布日期 | 2015.06.03 |
| 申请号 | CN201380050813.5 | 申请日期 | 2013.09.25 |
| 申请人 | 旭硝子株式会社 | 发明人 | 伊藤和弘;渡边晓;渡边俊成;宫川直通 |
| 分类号 | C04B35/44(2006.01)I;C01F7/00(2006.01)I;C01F7/16(2006.01)I | 主分类号 | C04B35/44(2006.01)I |
| 代理机构 | 上海专利商标事务所有限公司 31100 | 代理人 | 胡烨;金明花 |
| 主权项 | 一种导电性钙铝石化合物的制造方法，其特征在于，包括准备含有钙铝石化合物的被处理体的工序，和将所述被处理体在一氧化碳气体以及由铝源供给的铝蒸汽的存在下以不接触所述铝源的状态进行配置，在还原性气氛下将所述被处理体保持在1080℃～1450℃的温度范围的工序。 | ||
| 地址 | 日本东京 | ||