半导体器件的制造方法及半导体器件

摘要

在一个实施方式所涉及的半导体器件的制造方法中，准备以与在相邻的器件区域之间连结的第1引线和第2引线各自的下表面连通的方式形成有槽部的引线框架。然后，使用第1刀具将上述第1引线及第2引线的连结部的一部分切削后，去除在上述槽部内形成的金属屑。然后，在去除上述金属屑后，利用镀敷法在上述第1引线及第2引线的露出面上形成金属膜，之后，使用第2刀具切断第1引线及第2引线的连结部的残留部。此时，上述第2刀具以不与上述槽部接触的方式进行切断。

主权项

一种半导体器件的制造方法，具有下述工序：(a)工序，准备引线框架，该引线框架具有：第1器件区域、第2器件区域以及封固体，前述第1器件区域具有在上表面搭载有第1半导体芯片的第1芯片搭载部、以及配置在前述第1芯片搭载部附近的包括第1引线在内的多个引线，前述第2器件区域配置在前述第1器件区域的旁边，并具有在上表面搭载有第2半导体芯片的第2芯片搭载部、以及配置在前述第2芯片搭载部附近的包括与前述第1引线连结的第2引线在内的多个引线，前述封固体一并封固前述第1器件区域和前述第2器件区域，前述引线框架形成有槽部，该槽部以与在第1方向上延伸的前述第1引线及第2引线各自的第1引线下表面连通的方式在前述第1方向上延伸，且该槽部的、与前述第1方向正交的第2方向上的宽度与前述第1引线及第2引线各自的前述第1引线下表面的宽度相比更窄，(b)工序，通过使用沿前述第2方向行进的第1刀具从前述第1引线下表面侧切削前述第1引线及第2引线的连结部的一部分，从而在前述第1引线及第2引线的前述连结部上形成切入部，(c)工序，在前述(b)工序之后去除形成于前述槽部内的金属屑，(d)工序，在前述(c)工序之后，利用镀敷法在含有前述切入部的前述第1引线及第2引线的从前述封固体露出的部分上形成第1金属膜，(e)工序，在前述(d)工序之后，利用沿前述第2方向行进且宽度小于前述第1刀具的宽度的第2刀具，从前述第1引线下表面侧切削前述第1引线及第2引线的前述连结部的残留部，从而将前述第1器件区域和前述第2器件区域分离，在前述(e)工序中，以与前述第1引线及第2引线各自的前述第1引线下表面相连、且前述第2刀具不与构成前述切入部的第1引线侧面接触的方式切削前述残留部。