进行表面处理工艺的方法和半导体器件及其制造方法

摘要

本发明提供进行表面处理工艺的方法和半导体器件及其制造方法。半导体器件的制造方法包括：在基板中形成多个第一凹进区，该基板具有在多个第一凹进区之间的突出的有源区，该突出的有源区具有上表面和侧壁；在多个第一凹进区中形成器件隔离膜，该器件隔离膜暴露出突出的有源区的侧壁的上部分和上表面；以及在突出的有源区的暴露表面上进行第一等离子体处理，其中该等离子体处理利用包含惰性气体和氢气中至少一个的等离子体气体在小于或等于大约700℃的温度下进行。

主权项

一种进行表面处理工艺的方法，该方法包括：提供具有上表面的基板，该上表面具有均方根平均粗糙度；和利用包含惰性气体和氢气中至少一个的等离子体气体在所述基板的所述上表面上进行表面处理，以减小所述均方根平均粗糙度，其中所述表面处理在小于或等于700℃的温度进行。