发明名称 SILICON SINGLE CRYSTAL GROWING APPARATUS AND SILICON SINGLE CRYSTAL GROWING METHOD
摘要 본 발명은, 가열용 흑연히터의 내측에 흑연 도가니, 그 내측에 석영 도가니를 배치하고, 석영 도가니 내에 채워지는 원료용융액으로부터 결정을 육성하는 쵸크랄스키법에 의한 실리콘 단결정 육성장치로서, 흑연히터의 외측에 히터 외측 단열부재, 흑연 도가니의 하부에 도가니 하부 단열부재, 흑연 도가니 및 석영 도가니의 직동부의 상방에 도가니 상부 단열부재, 흑연 도가니의 직동부의 외측에 위치하는 도가니 외측 단열부재, 흑연 도가니 및 석영 도가니의 직동부의 내측에 도가니 내측 단열부재, 원료용융액의 액면의 상방에 차열부재를 가지며, 도가니 상부 단열부재와 도가니 외측 단열부재와 도가니 내측 단열부재의 내측에 형성되는 공간에 있어서, 흑연 도가니 및 석영 도가니가 승강 가능한 것인 실리콘 단결정 육성장치이다. 이에 따라, 원료용융액의 액면의 보온성을 유지하고, 고화 등에 의한 유전위화를 억제할 수 있는 실리콘 단결정 육성장치 및 실리콘 단결정 육성방법이 제공된다.
申请公布号 KR20150060690(A) 申请公布日期 2015.06.03
申请号 KR20157006011 申请日期 2013.08.26
申请人 SHIN-ETSU HANDOTAI CO., LTD. 发明人 HOSHI RYOJI;SUGAWARA KOSEI
分类号 C30B15/12;C30B15/14 主分类号 C30B15/12
代理机构 代理人
主权项
地址