| 摘要 |
【課題】コンタクト抵抗が大きくなることを抑制しつつコンタクトプラグを形成するときに必要な薄膜の膜厚を小さくすることができる技術を提供する。【解決手段】半導体装置１は、半導体基板２に並んで形成された複数のトレンチゲート３と、半導体基板２の表面の一部が露出する開口部４５を有する層間絶縁膜４と、開口部４５の中に形成されたコンタクトプラグ５を備える。層間絶縁膜４は、各トレンチゲート３を覆う複数の第１の部分４１と、隣り合う第１の部分４１の間において第１の部分４１と交差する方向に沿って形成された第２の部分４２とを備える。開口部４５は、第１の部分４１と第２の部分４２によって囲まれた領域に形成されており、第１の部分４１に沿う方向における開口部４５の長さが、第１の部分４１と交差する第２の部分４２に沿う方向における開口部４５の長さより短い。【選択図】図４ |
