| 发明名称 | 用于显示装置的阵列基板及其制造方法 | ||
| 摘要 | 用于显示装置的阵列基板及其制造方法。一种用于显示装置的阵列基板包括：第一薄膜晶体管TFT，其包括第一半导体层、与该第一半导体层对应的第一栅电极、第一源电极和第一漏电极；第二TFT，其包括第二半导体层、与该第二半导体层对应的第二栅电极、第二源电极和第二漏电极；第一透明电容器电极，其连接至该第一漏电极；第一钝化层，其位于该第一透明电容器电极上；第二透明电容器电极，其位于该第一钝化层上并连接至该第二漏电极，该第二透明电容器电极与该第一透明电容器电极交叠；第二钝化层，其位于该第一钝化层和该第二透明电容器电极上或上方；以及第一电极，其位于该第二钝化层上并连接至该第二透明电容器电极。 | ||
| 申请公布号 | CN104681566A | 申请公布日期 | 2015.06.03 |
| 申请号 | CN201410705200.7 | 申请日期 | 2014.11.27 |
| 申请人 | 乐金显示有限公司 | 发明人 | 白正善;金珉朱;金正五;尹净基;金容玟 |
| 分类号 | H01L27/12(2006.01)I;H01L27/32(2006.01)I;H01L21/77(2006.01)I | 主分类号 | H01L27/12(2006.01)I |
| 代理机构 | 北京三友知识产权代理有限公司 11127 | 代理人 | 吕俊刚;刘久亮 |
| 主权项 | 一种用于显示装置的阵列基板，该阵列基板包括：第一薄膜晶体管TFT，该第一TFT包括第一半导体层、与该第一半导体层对应的第一栅电极、第一源电极和第一漏电极；第二TFT，该第二TFT包括第二半导体层、与该第二半导体层对应的第二栅电极、第二源电极和第二漏电极；第一透明电容器电极，该第一透明电容器电极连接至所述第一漏电极；第一钝化层，该第一钝化层位于所述第一透明电容器电极上；第二透明电容器电极，该第二透明电容器电极位于所述第一钝化层上并且连接至所述第二漏电极，该第二透明电容器电极与所述第一透明电容器电极交叠；第二钝化层，该第二钝化层位于所述第一钝化层和所述第二透明电容器电极上或者位于所述第一钝化层和所述第二透明电容器电极上方；以及第一电极，该第一电极位于所述第二钝化层上并且连接至所述第二透明电容器电极。 | ||
| 地址 | 韩国首尔 | ||