| 发明名称 | 金属间化合物薄膜的制备方法 | ||
| 摘要 | 一种金属间化合物薄膜的制备方法，是在第一金属基底上制备第一钎料金属层，可以在第二金属基底上制备第二钎料金属层，再将涂覆焊剂的第一钎料金属层和第二钎料金属层对准接触放置，形成一个组合体；或将第一钎料金属层第二金属基底对准接触放置，形成一个组合体；组合体加热至所需温度下进行钎焊回流，使第一金属基底的温度与第二金属基底之间形成温度梯度，直至钎料金属层熔化后发生钎焊反应全部转变为金属间化合物，去除残余第二金属基底，得到金属间化合物薄膜。本发明在钎焊回流时形成温度梯度，加速了金属间化合物的形成速率，且形成的金属间化合物可为单晶或具有单一取向；实现金属间化合物薄膜的低温制备，薄膜致密表面平整，成膜质量好。 | ||
| 申请公布号 | CN104674335A | 申请公布日期 | 2015.06.03 |
| 申请号 | CN201510065020.1 | 申请日期 | 2015.02.09 |
| 申请人 | 大连理工大学 | 发明人 | 黄明亮;赵宁;杨帆;张志杰;邓建峰;赵杰 |
| 分类号 | C30B11/00(2006.01)I;C30B29/52(2006.01)I | 主分类号 | C30B11/00(2006.01)I |
| 代理机构 | 大连理工大学专利中心 21200 | 代理人 | 梅洪玉 |
| 主权项 | 一种金属间化合物薄膜的制备方法，其特征在于，提供第一金属基底(10)，所述第一金属基底(10)上采用电镀、溅射、气相沉积或蒸镀制备第一钎料金属层(12)；提供第二金属基底(20)；所述第一金属基底(10)和第二金属基底(20)具有相同的材质；第一金属基底(10)和第二金属基底(20)之间形成温度梯度；所述温度梯度定义为ΔT/Δd，所述ΔT为第二金属基底(20)上表面与第一金属基底(10)下表面之间的温度差，所述Δd为第二金属基底(20)上表面与第一金属基底(10)下表面之间的距离；两金属基底之间的钎料发生钎焊反应生成金属间化合物薄膜(30)。 | ||
| 地址 | 116024 辽宁省大连市甘井子区凌工路2号 | ||