| 发明名称 | 匹配电容及其制造方法 | ||
| 摘要 | 本发明涉及一种匹配电容及其制造方法。其中，匹配电容的制造方法，用于制造n个大小相等的匹配电容，n为大于等于2的自然数，包括：构造一个小电容阵列，该小电容阵列中的每一个元素具有相同的标称电容值；将数量相同的小电容并联，得到每个匹配电容；其中用于构造每个匹配电容的小电容的列标之和相同。采用本发明的匹配电容及其制造方法，可以至少部分地消除电容制造工艺过程带来的偏差，进而得到实际电容值相同的多个电容。 | ||
| 申请公布号 | CN104681412A | 申请公布日期 | 2015.06.03 |
| 申请号 | CN201510054814.8 | 申请日期 | 2015.02.02 |
| 申请人 | 南京宇都通讯科技有限公司 | 发明人 | 王俊峰;吴巍 |
| 分类号 | H01L21/02(2006.01)I;H01L23/64(2006.01)I | 主分类号 | H01L21/02(2006.01)I |
| 代理机构 | 北京志霖恒远知识产权代理事务所(普通合伙) 11435 | 代理人 | 孟阿妮;郭栋梁 |
| 主权项 | 一种匹配电容的制造方法，用于制造n个大小相等的匹配电容，n为大于等于2的自然数，其特征在于，包括：构造一个小电容阵列，所述小电容阵列中的每一个元素具有相同的标称电容值；将数量相同的所述元素并联，得到每个所述匹配电容；其中用于构造每个所述匹配电容的小电容的列标之和相同；所述小电容阵列的各个元素的电容值具有随列标线性递增的电容值列偏差。 | ||
| 地址 | 210038 江苏省南京市经济技术开发区兴智路6-3号南段4层 | ||