| 发明名称 | 一种用于DRAM中的高速离线驱动器 | ||
| 摘要 | 本发明涉及一种用于DRAM中的高速离线驱动器，包括反相器、与非门、或非门、p型MOS管以及n型MOS管，所述与非门包括p型MOS管P0、p型MOS管P1、p型MOS管P2、n型MOS管N0、n型MOS管N1以及n型MOS管N2。采用本发明的结构，可以保证在DRAM中，数据信号bdata_pfet和数据信号bdata_nfet完全匹配，离线驱动器OCD的输出data_out的占空比为50％，以及输出数据data_out上升沿的电压转换速率(slew-rate)和下降沿的电压转换速率(slew-rate)一致。 | ||
| 申请公布号 | CN104681080A | 申请公布日期 | 2015.06.03 |
| 申请号 | CN201410798512.7 | 申请日期 | 2014.12.18 |
| 申请人 | 西安华芯半导体有限公司 | 发明人 | 刘海飞 |
| 分类号 | G11C11/4063(2006.01)I | 主分类号 | G11C11/4063(2006.01)I |
| 代理机构 | 西安智邦专利商标代理有限公司 61211 | 代理人 | 张倩 |
| 主权项 | 一种用于DRAM中的高速离线驱动器，包括反相器、与非门、或非门、p型MOS管以及n型MOS管，其特征在于：所述与非门和或非门的上升沿匹配，所述与非门和或非门的下降沿匹配。 | ||
| 地址 | 710055 陕西省西安市高新6路38号腾飞创新中心A座4层 | ||