发明名称 全差分低噪声放大器
摘要 本发明公开了一种全差分低噪声放大器,包括:差分共源共栅CMOS放大器,共源输入管的源极分别连接第一电感的两端,第一电感的电感值中点通过第一电阻接地。共栅管的栅极都接相同的第一偏置电压,漏极连接输出负载网络且输出一对差分射频放大信号,共栅管的漏极还连接到四相全差分RC正交信号产生电路,四相全差分RC正交信号产生电路将一对差分射频放大信号转换为四相正交输出信号。本发明能实现全差分四相正交信号输出,能将噪声系数降低到1dB以下,能广泛应用于镜像抑制接收器中。
申请公布号 CN104682879A 申请公布日期 2015.06.03
申请号 CN201310610709.9 申请日期 2013.11.26
申请人 上海华虹宏力半导体制造有限公司 发明人 戴若凡;朱红卫
分类号 H03F1/26(2006.01)I;H03F3/45(2006.01)I 主分类号 H03F1/26(2006.01)I
代理机构 上海浦一知识产权代理有限公司 31211 代理人 丁纪铁
主权项 一种全差分低噪声放大器,其特征在于,包括:差分共源共栅CMOS放大器,包括第一NMOS管、第二NMOS管、第三NMOS管和第四NMOS管;所述第一NMOS管和所述第二NMOS管为一对差分共源输入管,所述第一NMOS管和所述第二NMOS管的栅极连接一对差分射频输入信号;所述第一NMOS管和所述第二NMOS管的源极分别连接第一电感的两端,所述第一电感的电感值中点通过第一电阻接地;所述第三NMOS管和所述第四NMOS管为一对共栅管,所述第三NMOS管和所述第四NMOS管的栅极都接相同的第一偏置电压,所述第三NMOS管的源极连接所述第一NMOS管的漏极,所述第四NMOS管的源极连接所述第二NMOS管的漏极;所述第三NMOS管和所述第四NMOS管的漏极连接输出负载网络;所述第三NMOS管的漏极输出正相射频放大信号,所述第四NMOS管的漏极输出反相射频放大信号,所述正相射频放大信号和所述反相射频放大信号组成一对差分射频放大信号,所述第三NMOS管和所述第四NMOS管的漏极还连接到四相全差分RC正交信号产生电路,所述四相全差分RC正交信号产生电路将一对所述差分射频放大信号转换为四相正交输出信号;所述四相全差分RC正交信号产生电路包括第一电容组、第二电容组、第三电容组、第四电容组、第五电容组、第六电容组、第二电阻和第三电阻;所述第一电容组的第一端连接所述正相射频放大信号,所述第一电容组的第二端输出第一相输出信号;所述第二电容组的第一端连接所述反相射频放大信号,所述第二电容组的第二端输出第二相输出信号;所述第三电容组的第一端连接所述正相射频放大信号,所述第三电容组的第二端输出第三相输出信号;所述第四电容组的第一端连接所述反相射频放大信号,所述第四电容组的第二端输出第四相输出信号;所述第五电容组连接在所述第一电容组的第二端和所述第二电容组的第二端之间;所述第六电容组连接在所述第三电容组的第二端和所述第四电容组的第二端之间;所述第二电阻连接在所述第一电容组的第二端和所述第三电容组的第二端之间;所述第三电阻连接在所述第二电容组的第二端和所述第四电容组的第二端之间。
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