| 发明名称 | 一种对金属极低腐蚀的光刻胶清洗液 | ||
| 摘要 | 本发明公开了一种对金属具有极低腐蚀的光刻胶用于去除光阻残留物的清洗液及其组成。这种去除光阻残留物光刻胶的清洗液含有：（a）季胺氢氧化物；（b）醇胺；（c）溶剂；(d)C<sub>4</sub>-C<sub>6</sub>的多元醇；（e）噻唑衍生物。该清洗液能够更为有效地去除晶圆上的光刻胶光阻残留物，对金属铜、铝等超低腐蚀；在半导体晶片清洗等领域具有良好的应用前景。 | ||
| 申请公布号 | CN104678719A | 申请公布日期 | 2015.06.03 |
| 申请号 | CN201310624949.4 | 申请日期 | 2013.11.28 |
| 申请人 | 安集微电子科技（上海）有限公司 | 发明人 | 孙广胜;刘兵;何春阳;黄达辉 |
| 分类号 | G03F7/42(2006.01)I | 主分类号 | G03F7/42(2006.01)I |
| 代理机构 | 上海翰鸿律师事务所 31246 | 代理人 | 李佳铭 |
| 主权项 | 一种光刻胶清洗液，其特征在于，包含季胺氢氧化物，醇胺，溶剂，C<sub>4</sub>‐C<sub>6</sub>的多元醇，噻唑衍生物。 | ||
| 地址 | 201201 上海市浦东新区华东路5001号金桥出口加工区（南区）T6-9幢底层 | ||