| 发明名称 | 晶体管的形成方法 | ||
| 摘要 | 一种晶体管的形成方法，包括：提供半导体衬底；在所述半导体衬底上形成界面层；在所述界面层上形成高K栅介质层；在所述高K栅介质层上形成帽盖层；在所述帽盖层上形成金属栅极；在形成帽盖层之后，对所述界面层和所述高K栅介质层进行无氧致密化处理。所述形成方法先在半导体衬底上形成界面层，在界面层上形成高K栅介质层，在高K栅介质层上形成帽盖层，之后，再对界面层和高K栅介质层进行无氧致密化处理，由于形成了帽盖层，帽盖层可以在无氧致密化处理过程中对高K栅介质层进行保护，防止环境中微量的氧气对界面层和高K栅介质层的氧化作用，从而防止后续形成的晶体管器件阈值电压发生漂移，提高了晶体管的性能。 | ||
| 申请公布号 | CN104681435A | 申请公布日期 | 2015.06.03 |
| 申请号 | CN201310611805.5 | 申请日期 | 2013.11.26 |
| 申请人 | 中芯国际集成电路制造（上海）有限公司 | 发明人 | 周祖源 |
| 分类号 | H01L21/336(2006.01)I;H01L21/28(2006.01)I | 主分类号 | H01L21/336(2006.01)I |
| 代理机构 | 北京集佳知识产权代理有限公司 11227 | 代理人 | 骆苏华 |
| 主权项 | 一种晶体管的形成方法，其特征在于，包括：提供半导体衬底；在所述半导体衬底上形成界面层；在所述界面层上形成高K栅介质层；在所述高K栅介质层上形成帽盖层；在所述帽盖层上形成金属栅极；在形成帽盖层之后，对所述界面层和所述高K栅介质层进行无氧致密化处理。 | ||
| 地址 | 201203 上海市浦东新区张江路18号 | ||