一种超薄硅基板的制作工艺和结构

摘要

本发明提供一种超薄硅基板的制作工艺，包括下述步骤：S1，提供一硅基板；S2，在硅基板的背面制作应力槽和分割槽；分割槽位于待划分的基板单元之间；确保每个待划分的基板单元对应的硅基板背面区域至少有一个应力槽；S3，在硅基板的背面覆盖一保护层，保护层的材料填充硅基板背面的应力槽和分割槽；S4，对硅基板的正面进行减薄；S5，在硅基板的正面制作正面结构，且在所述正面结构中开用于后续步骤划片的划片槽，划片槽的位置与分割槽相对应；S6，利用硅基板正面结构中的划片槽和硅基板中的分割槽进行划片，将整块硅基板分割为各个基板单元。本发明用于制备电子器件超薄封装结构所需要的硅基板。

主权项

一种超薄硅基板的制作工艺，其特征在于，包括下述步骤：S1，提供一硅基板(1)；S2，在硅基板(1)的背面制作应力槽(2)和分割槽(3)；分割槽(3)位于待划分的基板单元之间；确保每个待划分的基板单元对应的硅基板(1)背面区域至少有一个应力槽(2)；S3，在硅基板(1)的背面覆盖一保护层(4)，保护层(4)的材料填充硅基板(1)背面的应力槽(2)和分割槽(3)；S4，对硅基板(1)的正面进行减薄；S5，在硅基板(1)的正面制作正面结构(5)，且在所述正面结构(5)中开用于后续步骤划片的划片槽(6)，划片槽(6)的位置与分割槽(3)相对应；S6，利用硅基板(1)正面结构中的划片槽(6)和硅基板(1)中的分割槽(3)进行划片，将整块硅基板(1)分割为各个基板单元。