制造半导体器件的方法

摘要

提供一种制造半导体器件的方法，所述半导体器件能够与n型SiC区和p型SiC区这两者均形成接触并且可以抑制由于氧化导致的接触电阻增加，根据本发明的制造半导体器件的方法是包括如下步骤的制造半导体器件(1)的方法：准备由碳化硅构成的SiC层(12)；以及在SiC层(12)的主表面上形成欧姆电极(16)。形成欧姆电极(16)的步骤包括在SiC层(12)的主表面上形成将变成欧姆电极(16)的导体层(51，52，53)的步骤；以及执行热处理使得导体层(51，52，53)变成欧姆电极(16)的步骤。在执行热处理的步骤之后，将当欧姆电极(16)的表面暴露于含有氧的气氛中时欧姆电极(16)的温度设定为100℃或更低。

主权项

一种制造半导体器件的方法，包括以下步骤：准备由碳化硅构成的SiC层(12)；在所述SiC层中形成n型区和p型区；以及在所述SiC层(12)的主表面上形成欧姆电极(16)，其中，形成所述欧姆电极(16)的步骤包括在所述SiC层(12)的主表面上形成将变成所述欧姆电极(16)的导体层(51，52，53)的步骤、以及执行热处理以使得所述导体层(51，52，53)变成所述欧姆电极(16)的步骤，在形成所述欧姆电极(16)的步骤中，形成含有钛(51)、铝(52)和硅(53)的欧姆接触电极，在执行所述热处理的步骤之后，将当所述欧姆电极(16)的表面暴露于含有氧的气氛时的所述欧姆电极(16)的温度设定为100℃或更低，并且在形成所述欧姆电极的步骤中，具有钛膜、铝膜和硅膜的导体层形成为与所述n型区和所述p型区都接触，其中，在形成所述欧姆电极的步骤中，依次形成钛膜、铝膜和硅膜，所述钛膜的厚度为不小于并且不大于并且所述铝膜的厚度是所述钛膜的厚度的至少1.5倍并且至多6倍。