带有增强型源极-金属接头的屏蔽栅极沟槽金属氧化物半导体场效应管

摘要

一种形成在具有衬底顶面的半导体衬底上的半导体器件，包含：一个从衬底顶面延伸到半导体衬底中的栅极沟槽；一个在栅极沟槽中的栅极电极；一个沉积在栅极电极上方的电介质材料；一个在栅极沟槽附近的本体区；一个嵌在本体区中的源极区，至少一部分源极区延伸到电介质材料上方；一个接触沟槽，使源极区和本体区之间能进行电气等接触；以及一个沉积在至少一部分栅极沟槽开口、至少一部分源极区以及至少一部分接触沟槽上方的金属层。

主权项

一种形成在具有衬底顶面的半导体衬底上的半导体器件，其特征在于，其包含：一个从衬底顶面延伸到半导体衬底中的栅极沟槽；一个在栅极沟槽中的栅极电极；一个沉积在栅极电极上方的栅极顶部电介质材料；一个在栅极沟槽附近的本体区；一个嵌在本体区中的源极区；一个使源极区和本体区之间接触的接触沟槽；以及，一个沉积在至少一部分栅极沟槽开口、至少一部分源极区、以及至少一部分接触沟槽上方的金属层；所述源极区包含一个弯曲侧壁部分，其相邻于栅极沟槽，并且延伸至栅极顶部电介质材料的上方。