| 发明名称 | 用于相变存储器的SbSe基掺氮纳米薄膜材料及其制备方法 | ||
| 摘要 | 本发明公开了一种用于相变存储器的SbSe基掺氮纳米薄膜材料及其制备方法，纳米薄膜材料的化学组成通式为（Sb<sub>70</sub>Se<sub>30</sub>）<sub>x</sub>N<sub>1-x</sub>，其中x=0.69～0.75。与传统的Ge<sub>2</sub>Sb<sub>2</sub>Te<sub>5</sub>相变薄膜材料相比，本发明的用于相变存储器的SbSe基掺氮纳米薄膜材料具有较快的晶化速度，能够大大提高PCRAM的存储速度；同时本发明的薄膜材料具有较高的晶化温度和激活能，从而能够极大的改善PCRAM的稳定性。制备方法通过控制磁控溅射时通入的氮气流量来控制SbSe基掺氮纳米薄膜材料中氮元素的含量，氮元素的含量能够得到精确的控制。 | ||
| 申请公布号 | CN104681720A | 申请公布日期 | 2015.06.03 |
| 申请号 | CN201510067737.X | 申请日期 | 2015.02.09 |
| 申请人 | 江苏理工学院 | 发明人 | 吴卫华;胡益丰;朱小芹;眭永兴;袁丽;薛建忠;郑龙;邹华 |
| 分类号 | H01L45/00(2006.01)I | 主分类号 | H01L45/00(2006.01)I |
| 代理机构 | 常州市江海阳光知识产权代理有限公司 32214 | 代理人 | 孙培英 |
| 主权项 | 一种用于相变存储器的SbSe基掺氮纳米薄膜材料，其特征在于：化学组成通式为（Sb<sub>70</sub>Se<sub>30</sub>）<sub>x</sub>N<sub>1‑x</sub>，其中x=0.69～0.75。 | ||
| 地址 | 213001 江苏省常州市钟楼区中吴大道1801号 | ||