发明名称 |
光电二极管阵列 |
摘要 |
光电二极管阵列具备形成在半导体基板的多个光电二极管。光电二极管的各个具有:第1导电型的第1半导体区域,其设置在半导体基板;第2导电型的第2半导体区域,其以围绕规定区域的方式相对于第1半导体区域设置在半导体基板的一个面侧,并与第1半导体区域一起构成光检测区域;以及贯通电极,其设置在以通过第1半导体区域和规定区域的方式贯通一个面与半导体基板的另一个面之间的贯通孔内,并与第2半导体区域电连接。贯通孔包含从一个面向另一个面扩展的部分。 |
申请公布号 |
CN104685631A |
申请公布日期 |
2015.06.03 |
申请号 |
CN201380050908.7 |
申请日期 |
2013.11.26 |
申请人 |
浜松光子学株式会社 |
发明人 |
山中辰己;坂本明;细川畅郎 |
分类号 |
H01L27/146(2006.01)I;H01L27/14(2006.01)I;H01L27/144(2006.01)I;H01L31/10(2006.01)I |
主分类号 |
H01L27/146(2006.01)I |
代理机构 |
北京尚诚知识产权代理有限公司 11322 |
代理人 |
杨琦;黄贤炬 |
主权项 |
一种光电二极管阵列,其特征在于,是具备形成在半导体基板的多个光电二极管的光电二极管阵列,所述光电二极管的各个具有:第1导电型的第1半导体区域,其设置在所述半导体基板;第2导电型的第2半导体区域,其以围绕规定区域的方式相对于所述第1半导体区域设置在所述半导体基板的一个面侧,并与所述第1半导体区域一起构成光检测区域;以及贯通电极,其设置在以通过所述第1半导体区域和所述规定区域的方式贯通所述一个面与所述半导体基板的另一个面之间的贯通孔内,并与所述第2半导体区域电连接,所述贯通孔包含从所述一个面朝向所述另一个面扩展的部分。 |
地址 |
日本静冈县 |